بناپور غفاری, امید, فدائی, امیررضا, لطفی پور, پوریا, افتخاری یکتا, بیژن. (1403). استحکام بخشی شیشههای سودالایم با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی. سامانه مدیریت نشریات علمی, 35(3), 1-16. doi: 10.22067/jmme.2024.84990.1127
امید بناپور غفاری; امیررضا فدائی; پوریا لطفی پور; بیژن افتخاری یکتا. "استحکام بخشی شیشههای سودالایم با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی". سامانه مدیریت نشریات علمی, 35, 3, 1403, 1-16. doi: 10.22067/jmme.2024.84990.1127
بناپور غفاری, امید, فدائی, امیررضا, لطفی پور, پوریا, افتخاری یکتا, بیژن. (1403). 'استحکام بخشی شیشههای سودالایم با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی', سامانه مدیریت نشریات علمی, 35(3), pp. 1-16. doi: 10.22067/jmme.2024.84990.1127
بناپور غفاری, امید, فدائی, امیررضا, لطفی پور, پوریا, افتخاری یکتا, بیژن. استحکام بخشی شیشههای سودالایم با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی. سامانه مدیریت نشریات علمی, 1403; 35(3): 1-16. doi: 10.22067/jmme.2024.84990.1127
استحکام بخشی شیشههای سودالایم با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی
دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه علم و صنعت ایران
چکیده
تعویض یونی یکی از روشهای استحکام بخشی شیشهها میباشد که شامل وارد کردن شیشه حاوی محتوای قلیایی در یک حمام نمک مذاب (به عنوان مثال نیترات پتاسیم) میباشد. در این فرآیند یون کوچکتر از ساختار شیشه خارج شده و یون بزرگتر وارد ساختار شیشه میشود. این فرآیند باعث ایجاد تنش فشاری در سطح میشود و در نتیجه استحکام را افزایش میدهد. با اعمال یک انرژی خارجی مانند میدان الکتریکی، میتوان سرعت و راندمان فرآیند را افزایش داد. در تحقیق حاضر با استفاده از روش تعویض یونی به کمک میدان الکتریکی، به بررسی استحکام بخشی شیشههای سودالایم پرداخته شده است. در این پژوهش پارامترهای دما، زمان و میدان الکتریکی به هدف افزایش استحکام بررسی شدند. بیشترین استحکام، عدد سختی و بهترین شکست نگاری در نمونهای مشاهده شد که تنها به مدت 10 دقیقه در دمای 400 درجه سانتیگراد در میدانی به شدت 2000 ولت بر سانتیمتر قرار گرفت. مشاهده شد که استحکام نمونهها به بیش از 4 برابر نسبت به نمونه خام رسید. همچنین عدد سختی نمونهها نیز از kgf/mm2 50±550 بهkgf/mm2 50±750 افزایش پیدا کرد. علاوه بر این عمق نفوذ برای نمونهای که تنها به مدت 10 دقیقه در دمای 400 درجه سانتیگراد تحت میدانی به شدت 2000 ولت بر سانتیمتر بوده است، به 11 میکرومتر رسیده است. قابل ذکر است برای نمونههایی که تحت فرآیند تمپر شیمیایی بدون استفاده از میدان الکتریکی قرار گرفتهاند، در شرایط دمایی 400درجه سانتیگراد به مدت 240 دقیقه عمق نفوذ 3 میکرومتر شد.