بررسی عملکرد لایه دوتایی WN/W با ساختار نامنظم بعنوان لایه مانع نفوذ Cu در Si | ||
| مهندسی متالورژی و مواد | ||
| دوره 35، شماره 1 - شماره پیاپی 33، بهار 1403، صفحه 51-64 اصل مقاله (1.02 M) | ||
| نوع مقاله: علمی و پژوهشی | ||
| شناسه دیجیتال (DOI): 10.22067/jmme.2024.79637.1085 | ||
| نویسندگان | ||
| سمیه عسگری* ؛ امیر هوشنگ رمضانی | ||
| دانشکده فیزیک، دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تهران غرب، تهران، ایران | ||
| چکیده | ||
| لایه تنگستن/ نیترید تنگستن با ساختار نامنظم به روش تبخیرگرمایی روی زیرلایه اکسید سیلیکون/ سیلیکون انباشت شد. بررسی پایداری گرمایی این لایه دوتایی در دماهای مختلف از طریق پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی و پراب چهار نقطهای انجام شد. بر اساس نتایج پراش اشعه ایکس، تشکیل فاز سیلیسید مس در دمای 800 درجه سانتیگراد، نشان دهنده نفوذ مس از درون لایه تنگستن/ نیترید تنگستن است. تشکیل فاز عایق سیلیسید مس، افزایش ناگهانی مقاومت الکتریکی (212 اهم / سانتیمترمربع) را در پی داشت که نشان دهنده مختل شدن کارایی لایه مانع نفوذ تنگستن/ نیترید تنگستن می باشد. نفوذ مس در سیلیکون، اغلب از طریق مرزدانه های ناخواسته ای است که در مراحل گرمادهی لایه تنگستن/ نیترید تنگستن با تغییر ساختار لایه مانع نفوذ از فاز نامنظم به بس بلوری رخ داده است و در نتایج پراش اشعه ایکس به خوبی نشان داده شده است. در دماهای بالا، تصویر میکروسکوپ الکترونی، شکستگی، ترک و پوسته شدن سطح لایه مس را نشان داده است که به دلیل ایجاد استرس گرمایی در بین سطوح مانع نفوذ/ مس و یا حجم لایه ها بوجود می آید. | ||
| کلیدواژهها | ||
| لایه مانع نفوذ؛ نفوذ از طریق مرزدانه؛ سیلیسید مس؛ W/WN | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 1,879 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 1,150 |
||